چگالي نيروي الكترومغناطيسي در محيط اتلافي همسانگرد در مقياس نانو

در اين مقاله ، يك بيان ساده براي چگالي نيروي الكترومغناطيسي در ميدان الكترومغناطيسي بسامد پايئن ، در يك محيط اتلافي همسانگرد در مقياس نانو را محاسبه ميكنيم ، اين نتايج از طريق ميانگين گيري ميكروسكوپي از چگالي نيروي لورنتسي محاسبه مي شود. اين محاسبات اجازه ي محاسبه ي نيروي الكترومغناطيسي حقيقي الاستيك در محيطهاي با گذردهي الكتريكي مختلط و تراوايي مغناطيسي مختلط در مقياس نانو را مي دهند ، و در ادامه تانسور انرژي-تكانه سه بعدي در محاسبات ، در محيطهاي اتلافي كاهش پيدا مي كند كه با تانسور مشهور هلمهولتز همخواني ندارد