بررسي مقاومت بدنه در اتصال بدنه I-gate در ترانزيستور سيليكون روي عايق قسمتي تهي شده

در اين مقاله مدل مداري ساختار ترانزيستور I-gate مورد بررسي قرارگرفته است.پارامترهاي مدل مورد بررسي با استفاده از نتايج شبيه سازي ترانزيستور سيليكون روي عايق قسمتي تهي شده با طول كانال 45 نانومتر تنظيم شده است. اثر تغييرات غلظت نوار P در اتصال بدنه I-gate برروي ساختار بررسي گرديد ونمودارهاي مربوطه رسم گرديد.با توجه به دوپينگ‌هاي مختلف ساختار مي‌توان نتيجه گرفت كه نوار مياني استفاده شده در اين ساختار دوپينگش از يك مقدار معين نمي تواند كمتر باشد.زيرا استفاده ازدوپينگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه ودر نتيجه ولتاژ بدنه مي شود.ميزان غلظت مناسب بدست آمده براي اين ساختار1e18 cm3 است