يك سلول SRAM 9 ترانزيستوري كم مصرف باسرعت و پايداري بهبود يافته

توان مصرفي در سلول هاي SRAM شامل دو مؤلفه توان نشتي (استاتيك) و توان ديناميكي است كه با توجه به حجم زياد اين سلول ها در ريزپردازنده هاي امروزي، توان نشتي در اين سلول ها اهميت زيادي دارد. پايداري داده و حاشيه نويز استاتيك (SNM) در سلول SRAM ها نيز با توجه به كاهش ولتاژ تغذيه هر روز اهميت بيشتري پيدا مي كند. در كنار توان مصرفي و پايداري داده، تاخير خواندن و نوشتن سلول هاي SRAM در بهبود سرعت و كارايي ريزپردازنده ها تاثير دارد.در اين مقاله يك سلول 9 ترانزيستوري جديد پيشنهاد شده است كه با استفاده از فقط يك خط بيت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنين با جدا سازي مسير خواندن از مسير نوشتن داده توانسته است همه پارامترهاي فوق را بهبود دهد. شبيه سازي هاي انجام شده نشان مي دهد كه در مقايسه با سلول 6 ترانزيستوري معمولي و سه نوع سلول 7، 8 و 9 ترانزيستوري كه قبلاً معرفي شده اند، ميزان بهبود توان نشتي 40 الي 53 درصد، ميزان بهبود توان ديناميكي 17 الي 49 درصد، و ميزان بهبود سرعت نوشتن بين 48 الي 68 درصد است. تاخير خواندن اين سلول با تاخير خواندن سلول 9 ترانزيستوري قبلي يكسان است ولي بين 33 تا 41 درصد بهتر از تاخير خواندن ساير سلول ها است.