شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
فرستنده THz پلاسموني با استفاده از تكنولوژي InP
عنوان به زبان ديگر :
Plasmonic THz Transmitter Using InP Technology
پديدآورندگان :
نيكوفرد محمود m_nikoufard@yahoo.com گروه الكترونيك، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه كاشان، كاشان؛ , بيدگلي فاطمه bidgoli.fatemeh@gmail.com گروه الكترونيك، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه كاشان، كاشان؛
كليدواژه :
موجبرهاي پلاسمونيكي هيبريد , فتوديود pin , فرستنده THz با تكنيك هتروداين
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
در اين مقاله براي اولين بار يك فرستنده THz پلاسمونيكي با استفاده روش هتروداين بر روي زير لايه InP در پنجره طول موج 1.55µm طراحي گرديده است. از مزاياي ساختار لايه معرفي شده اين است كه مي‌توان تمام اجزاي آن شامل ليزر، تزويجگر 3dB، آشكارساز نوري و آنتن فرستنده را بروي يك تراشه به صورت يكپارچه، مجتمع سازي نمود كه هزينه ساخت را به شدت كاهش مي‌دهد. تلاش شده است كه دو قسمت اصلي اين فرستنده، شامل تزويجگر و آشكارساز پلاسمونيكي طراحي و تحليل گردند. در ابتدا ساختار لايه موجبر پلاسمونيكي و سپس آشكارساز نوري pin معرفي گرديده و سپس نحوه انتشار نور در اين ساختار با استفاده از روش تفاضل محدود در حوزه زمان محاسبه شده‌اند. تزويجگر نوري 3dB داراي طول 5µm و آشكارساز نوري داراي طول 1.5µm براي جذب بيش از 90% نور تابيده شده مي-باشد. محاسبات نشان مي‌دهد كه آشكارساز نوري داراي پهناي باند تا چند صد گيگاهرتز مي‌باشد.
