شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
كاربرد سيليكون حكاكي شده به‌وسيلة محلول TMAH در فناوري MEMS
عنوان به زبان ديگر :
The use of silicon etched by means of TMAH solution in MEMS technology
پديدآورندگان :
مظاهري آذردخت dokht2001@yahoo.com مجتمع علوم كاربردي مالك اشتر، پژوهشكده اپتيك و ليزر، اصفهان، شاهين شهر؛ , عليبازي ابوذر abouzaralibazi@gmail.com مجتمع علوم كاربردي مالك اشتر، گروه نانو فيزيك، اصفهان، شاهين شهر , چرمي مرتضي charmi.phy@gmail.com مجتمع علوم كاربردي مالك اشتر، گروه نانو فيزيك، اصفهان، شاهين شهر , اميدواري ساره sareh.omidvari@gmail.com مجتمع علوم كاربردي مالك اشتر، گروه نانو فيزيك، اصفهان، شاهين شهر
كليدواژه :
فرايند حكاكي , محلول TMAH , محلول IPA , ويفر سيليكون , 41
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
اين گزارش به فرايند حكاكي محلول TMAH بر روي ويفر سيليكون (100)مي پردازد. در اين تحقيق سرعت حكاكي و راه‌هاي كاهش زبري سطح سيليكون حكاكي شده با اضافه كردن محلول IPA به TMAH مورد بررسي قرار گرفته شده است. حكاكي در ۳ دماي مختلف (70،82،93) با غلظت‌‌هاي متفاوت محلول TMAH و با افزودن IPA و بدون IPA با خلوص متفاوت انجام شد. صاف و هموار بودن سطح سيليكون حكاكي شده وابستگي بسيار شديدي به غلظت محلول IPA و مقدار خلوص آن در محلول دارد، به طوري كه باافزايش مقدار IPA در محلول، زبري و ناهمواري سطح سيليكون كمتر مي‌شود.
چكيده لاتين :
This paper studies the etching process of TMAH solution on silicon wafer (100). In this study the rate of etching and the ways to reduce the silicon surface roughness has been studied by adding IPA to TMAH solution. The etching was carried out in three different temperatures 70, 82 and 93 ° C with different concentrations of TMAH solution and with the addition of IPA and non-IPA with different purity. The smooth etched silicon surface is very strong dependent to the concentration of IPA and its purity in the solution, So that by increasing the amount of IPA in the solution, the roughness of silicon surface is reduced.
