شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
بررسي خواص ساختاري والكتروني نانولوله‌ي گاليوم فسفيد (GaPNT) واثر ناخالصي فلز واسطه منگنز بر روي آن
عنوان به زبان ديگر :
The investigated of Structural and Electronic Properties GaP Nanotube and the effect of Mn doped by The Basis of Density Functional Theory
پديدآورندگان :
علي حسيني نسب رستم آبادي طيبه mohsenkavir@gmail.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه و‌لي‌عصر(عج)، رفسنجان , بيضايي سيدمهدي mbeizaee@yahoo.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه و‌لي‌عصر(عج)، رفسنجان , صابري سيد حسن hsaberi64@yahoo.com گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه، دانشگاه و‌لي‌عصر(عج)، رفسنجان
كليدواژه :
:GaPNT , Density Functional , PWscf , Nanotube. , 73.22.–f , 75.75.+a , 61.46.+w , 71.15.Mb
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
در اين پژوهش ما به بررسي خواص ساختاري و الكتروني نانولوله گاليوم فسفيد و اثر ناخالصي منگنز برروي آن پرداختيم. محاسبات نشان مي‌دهد كه نانولوله گاليوم فسفيد در حالت خالص نيم‌رسانايي غير مغناطيسي با گاف مستقيم 15 /2 الكترون ولت مي‌باشد كه با تجربه سازگار است. در حالي كه بعد از اضافه كردن ناخالصي به نيم‌فلز مغناطيسي تبديل شد كه كاربرد فراواني در صنعت اسپينترونيك دارد.
