شماره ركورد كنفرانس :
4124
عنوان مقاله :
رشد لايه نازك اكسيد سيليكون به روش CVD و محاسبه بارهاي اكسيد با تكنيك C-V
عنوان به زبان ديگر :
Growth of SiO2 thin film by CVD method and calculation of oxide charges utilizing C-V technique
پديدآورندگان :
باقرزاده مجيد m.baqerzadeh@gmail.com دانشكده فيزيك، دانشگاه صنعتي شاهرود، شاهرود؛ , نظام دوست حميد h.nezamdoost@gmail.com دانشكده فيزيك، دانشگاه تهران، تهران؛ , خليلي سجاد sajjad.khalili2000@gmail.com دانشكده برق، دانشگاه سمنان، سمنان ؛ , عبدالهي حميد رضا abdollahihamidreza6@gmail.com دانشكده فيزيك، دانشگاه خوارزمي، تهران؛ , غلامي بهناز behnazgholami15@gmail.com دانشكده فيزيك، دانشگاه خوارزمي، تهران؛
كليدواژه :
SiO2 , CVD , PECVD method , MOS Structure , fixed oxide charges , C-V measurement , 85
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران 1395
چكيده فارسي :
يكي از روش هاي مرسوم و متداول رشد لايه نازك اكسيد سيليكون ( SiO2 )روش انباشت بخار شيميايي (CVD)مي باشد كه مزيت آن در مقايسه با روشهاي ديگر نظير انباشت بخار فيزيكي (PVD ) دانسيته بالاي لايه نازك SiO2 رشد يافته مي باشد. ليكن وجود نقص ها در فصل مشترك Si/SiO2 در بسياري از افزاره هاي الكترونيك به خصوص ساختارهاي مبتني بر فلز- اكسيد- نيم رسانا (MOS) منجر به افزايش جريان نشتي مي شود. لذا براي محاسبه بارهاي ثابت اكسيد، نياز به ساخت خازنMOS و استفاده از تكنيك اندازه گيري ظرفيت خازن- ولتاژ (C-V) با فركانس بالا (High-Frequency) مي باشد. جهت كاهش بارهاي اكسيد، از بازپخت (Annealing ) با گاز هيدروژن در دماي پايين به روش انباشت بخار شيميايي پلاسمايي (PECVD ) بهره برده ايم. نتايج حاصل از منحني هاي C-V نشان مي دهد كه با استفاده از اين روش مي توان مقدار بارهاي ثابت اكسيد را تا يك مرتبه كاهش داد.
چكيده لاتين :
One of the common method of growing SiO2 thin film is Chemical Vapor Deposition (CVD). The SiO2 thin film grown by CVD method has higher density relative to the same layer grown by Physical Vapor Deposition (PVD) or other methods of deposition. However presence of defects in SiO2/Si interface increases leakage current of many MOS structures in electronic devices. Here in order to studying and measuring oxide charges we need to fabricate an MOS devices and utilizing high frequency C-V technique to measure capacitance of the MOS in different bias voltages. To reduce oxide charges we annealed MOS using PECVD method, operating in low temperature and H2 ambience. The results obtained from C-V curves show one order reduction of fixed oxide charges significantly.
