بررسي رفتار دوقطبي در دو ساختار با همپوشاني/ غير همپوشاني گيت در ترانزيستور اثر ميدان تونلي (TFET)

Ambipolar behavior in both structure of the overlapped/underlapped gate TFETs

در اين مقاله تاثير، باهمپوشاني و غيرهمپوشاني گيت روي عملكرد ترانزيستور هاي اثر ميدان تونلي (TFET) دو گيتي (DG) بررسي مي شود . مشخصات ساختار هاي باهمپوشاني و غيرهمپوشاني گيت با استفاده از شبيه سازي ساختار مقايسه مي شود. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه با ساختار غيرهمپوشاني گيت جريان حالت خاموش 〖(I〗_Off) به طور قابل توجهي كاهش مي يابد و از رفتار دوقطبي(Ambipolar) جلوگيري مي شود.

This article investigates overlapped/ underlapped gates on the performances of double-gate (DG) tunneling field-effect transistors (TFETs). Devices characteristics of overlapped/underlapped gate structures are compared using extensive device simulations. Simulation results show that with the underlapped gate off-state current 〖(I〗_off) reduces significantly and ambipolar behavior is suppression.