تقويت كننده امپدانس انتقالي جديد در جهت بهبود RGC با ساختار كسكود

در سالهاي اخير، نياز ضروري به انتقال داده با سرعت بالا در سيستمهاي مخابراتي، آغازگر يك رشد سريع و ژرف در پژوهشهاي انجام شده درزمينه طراحي تجهيزات مخابراتي بوده است .مخابرات نوري يكي از انواع روشهاي مخابرات داده ميباشد كه در آن ، نور به عنوان حامل سيگنال بكار ميرود. اين روش جايگزيني مناسبتر و بهتر براي مخابرات بوسيله ي جريان الكتريكي ميباشد. از اين رو مخابرات نوري بدليل داشتن مزاياي زياد و متنوع نسبت به مخابرات با حاملهاي جريان الكتريكي ، بطور وسيع جايگزين مخابرات سيمي در دنياي مدرن گرديده است. هدف سيستمهاي مخابرات نوري انتقال حجم گستردهاي از اطلاعات به مسافتهاي طولاني با توان مصرفي پايين، امنيت بالا و قيمت مناسب ميباشد. به همين منظور از تقويتكنندههاي CMOS، براي طراحي مناسب استفاده ميشوددر اين مقاله ساختار يك تقويت كننده امپدانسي انتقالي گيرنده نوري براي يك سيستم مخابرات نوري با استفاده از ترانزيستور CMOS، با طول كانال 40 نانومتر طراحي و نتايج آن موردبحث و بررسي قرارگرفته است. براي طراحي مدار پيشنهادي ابتدا دو ساختار RGC و ICDF تقويتكننده امپدانسي در نظر گرفته شده است. در ساختار RGC براي اينكه پهناي باند را كنترل نماييم از تكنيك فيدبك منفي استفاده نموديم. تكنيك فيدبك منفي ميتواند علاوه بر كنترل پهناي باند مقاومت ورودي تقويت كننده را كاهش دهد. در ساختار ICDF در نظر گرفته شده ترانزيستور PMOS پوش پول مورد استفاده در مدار در ناحيه اهمي باياس شده است بنابراين در مدار پيشنهادي از نوع ICDF براي اينكه ترانزيستور مورد نظر در ناحيه اشباع باياس شود به ترمينال گيت آن ولتاژ DC اعمال شده كه با اين كار ترانزيستور مورد نظر به اشباع رفته و به كمك تكنيك كسكود بهره مدار افزايش يافته است. نتايج بررسيها نشان ميدهد كه بهره تقويتكننده امپدانسي پيشنهادي به ميزان 57.6dBΩ، پهناي باند 0.1GHz و توان مصرفي3.34mw ميباشد. شبيه سازيهاي مداري با استفاده از نرمافزار HSPICEصورت گرفته است.