شماره ركورد كنفرانس :
4158
عنوان مقاله :
بررسي و شبيه سازي ترانزيستور اثر ميدان فلز- اكسيد- نيم رسانا سيليكون روي عايق با استفاده از نرم افزار سيلواكو
پديدآورندگان :
عباسي عبداله abbasi_iust@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه آزاد اسلامي واحد گرمسار، گرمسار، ايران. , رادسر طاهره t_radsar@yahoo.com گروه مهندسي الكترونيك، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه آزاد اسلامي واحد گرمسار، گرمسار، ايران.
كليدواژه :
سيليكون روي عايق , SOI MOSFET , اثر Kink , شبيه سازي , سيلواكو.
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي تحقيقات بين رشته اي در مهندسي كامپيوتر، برق، مكانيك و مكاترونيك
چكيده فارسي :
در اين مقاله به بررسي و شبيه سازي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز- اكسيد- نيم رسانا سيليكون روي عايق پرداخته مي‌شود. در ابتدا مقدمه اي از تكنولوژي سيليكون بيان مي شود و به مشكلاتي كه با روند كوچك سازي قطعات ايجاد مي گردد، اشاره مي شود. سپس به تكنولوژي سيليكون روي عايق پرداخته مي شود و مزاياي استفاده از اين تكنولوژي بيان مي گردد و ترانزيستورهاي مبتني بر آن معرفي و بررسي و مقايسه مي گردد. در ادامه منحني مشخصات ترانزيستور مبتني بر اين تكنولوژي استخراج مي گردد و ولتاژ آستانه و پارامترهاي موثر در ولتاژ آستانه، شيب زير آستانه و اثر Kink و گرم شدن شبكه لتيس مربوط به ترانزيستورهاي مبتني تكنولوژي سيليكون روي عايق مورد مطالعه قرار مي گيرد و تاثير آن ها روي منحني مشخصات بررسي مي شود. پروسه شبيه سازي با استفاده از نرم افزار سيلواكو انجام مي شود. در انتها نتيجه گيري بررسي و شبيه سازي ها ارائه مي گردد.
