شماره ركورد كنفرانس :
4159
عنوان مقاله :
P42. بررسي ابتدا به ساكن خواص ساختاري، فونوني و ترموديناميكي نانولايه‌هايMoX2(X=O,S,Se)
عنوان به زبان ديگر :
Ab-initio study of the structural, phonon and thermodynamic properties of MoX2(X=O,S,Se) nano sheets
پديدآورندگان :
كريمي ليلا LK.18629610@gmail.com آزمايشگاه فيزيك محاسباتي، گروه فيزيك دانشكده علوم، دانشگاه آزاد اسلامي واحد قم، قم، ايران؛ , تشكري حسن hassan.tashakori@yahoo.com آزمايشگاه فيزيك محاسباتي، گروه فيزيك دانشكده علوم، دانشگاه آزاد اسلامي واحد قم، قم، ايران؛ , محمدي مهناز m.mohammadi_2@yahoo.com دانشگاه صنعتي قم؛
كليدواژه :
نظريه تابعي چگالي , نظريه تابعي چگالي اختلالي , نانولايه , طيف فونوني , ظرفيت گرمايي , خواص فونوني و ترموديناميكي , 66
عنوان كنفرانس :
سومين كنفرانس ملي فيزيك محاسباتي ايران
چكيده فارسي :
در پژوهش حاضر به بررسي ابتدا به ساكن خواص مكانيكي، فونوني و ترموديناميكي نانولايه هاي MoX2(X=O,S,Se) پرداخته شده است. محاسبات بر اساس نظريه تابعي چگالي و نظريه تابعي چگالي اختلالي انجام گرفته است. بررسي و تجزيه و تحليل ساختار نواري و چگالي حالات نانولايه‌ها نشان داد كه هر سه ساختار نيمه رساناي غير مغناطيسي بوده كه MoO2 داراي گاف غيرمستقيم و MoS2 و MoSe2 داراي گاف مستقيم مي باشند. گاف نواري محاسبه شده براي نانولايه MoO2 برابر eV 1/73 و به ترتيب eV 48 /1 و eV 1/70 براي MoSe2 و MoS2 مي‌باشد. همچنين نتايج مربوط به منحني هاي پاشندگي فونوني و چگالي حالت فونوني محاسبه شده نشان داد كه نانولايه هاي MoO2 و MoS2 به ترتيب داراي گاف‌هاي فونوني با مقادير 631/ 113 و 045/ 90 و MoSe2 داراي دو گاف فونوني حدود 046 /41 و 573 /13 بر سانتي‌متر مي‌باشند. نمودار ظرفيت گرمايي هر سه ساختار با تقريب هارمونيك رسم گرديد و مشاهده شد گرماي ويژه با افزايش جرم اتمي كاهش مي‌يابد. بنابراين اتم سبكتر گرماي ويژه بيشتري به خود اختصاص مي‌دهد
