جذب آلاينده هاي H2S و SO2 توسط نانو قفسه B12N12 در حضور اتم ناخالصي

هتروفولرن هاي نيم رساناي 12N12B ، 12N11AlB و 11PN12B به عنوان جاذب گازهاي سمي S2H و 2SO براساس نظريه تابعي چگالي محاسبه شد. براي تمام تركيب ها، پارامترهاي ساختاري، شكاف انرژي، تجزيه و تحليل طبيعي جمعيت، چگالي جزئي سطح، ممان دوقطبي و فركانس هاي ارتعاشي استخراج شد. فرايند جذب و در فولرن 12N12B با جايگزين كردن اتم هاي Al و P بجاي B و N باعث افزايش ميزان جذب مي شود. نتايج نشان داد كه، در ميان قفسه هاي مورد مطالعه، ساختار 11PN12B داراي حساسيت بيشتري بود. چون S2H اثر كمتري بر روي خواص الكتروني دارد پس كمتر جذب مي شود. گاز 2SO، نسبت به S2H به صورت ضعيفي جذب جاذب ها مي شود بنابراين گاز 2SO بهتر جذب جاذبها مي شود و در بين جاذبها واكنش پذيري به اين صورت است كه، 11PN12B بيشترين واكنش پذيري سپس 12N11AlB و كمترين واكنش پذيري مربوط به 12N12B مي باشد. اين بررسي براي توسعه 12N12B براساس سنسورهاي گازي مفيد و مبناي نظري براي Al و P داپت شده در 12N12B براي ساخت سنسورهاي گازي را فراهم مي كند.