ارائه مدل تحليلي براي يكMESFET از جنس GaN براي كاربردهاي توان و فركانس بالا

Providing analytical model for a MESFET for power applications and high frequency of GaN

در سال هاي اخير، توجه زيادي به موادي همچون GaN كه داراي باند انرژي گاف پهن هستند به علت نرخ توليد حرارتي پايين آن و ميدان شكست بالا براي استفاده بالقوه آن در كاربردهايي با توان زياد، دماي بالا، و فركانس هاي ميكروويو، جلب شده است. در اين پژوهش، مدل هاي تحليلي پتانسيل كانال هاي يك و دو بعدي براي مسفت هاي GaN با طول كانال زياد بر اساس حل معادله پويسن ارائه مي شود. مدل تحليل پتانسيل كانال ارائه شده مي تواند با اندكي تغييرات و فرضيات براي كسفت هاي با طول كانال كوتاه مورد استفاده قرار گيرد. مدل هاي تحليلي براي مشخصات I-V و C-V مسفت GaN نيز با نظر به اثر مقاومت پارازيتي و تعديلات طول گيت ارائه مي شود. اين مدل ترارسانايي و منحني نويز بهينه را ارزيابي مي كند. مدل ارائه شده در اين پژوهش جهت درك عملكرد قطعه در ناحيه نانومتر براي كاربردهاي آينده بسيار مفيد خواهد بود.

In this research, analytical models one and two-dimensional potential channels for Mesfet of GaN with high channel length is given by equation Pvysn. Channel potential analysis model can be provided with slight variations and assumptions used to Kesfet short channel length. Analytical models for the specification of I-V and C-V GaN Mesfet also with regard to the effect of parasitic resistance and gate length adjustment is provided. The model evaluates the optimal noise transconductance curve. The model presented in this study to understand the functioning piece nm for applications in the future will be very useful.