بررسي مشخصه هاي الكتريكي نانو ترانزيستور اثر ميدان تونلي بدون پيوند نامتجانس-Ge SixGe1-x با ساختارگيت دو ماده اي

از مشكلات مهم در روند كوچك سازي ترانزيستور MOSFET كنوني در ابعاد نانو، وجود ناحيه تخليه شده ناشي از پيوند PN در فصل مشترك سورس و درين با كانال مي باشد كه موجب كاهش كنترل گيت بر كانال وافزايش جريان نشتي افزاره مي گردد. ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند به عنوان يك ساختار جايگزين ترانزيستورهاي كنوني معرفي گرديده است. براي عملكرد NMOS افزاره بدون پيوند، آلايش سورس، كانال و درين از نوع N+مي باشد. مشابه ترانزيستور اثر ميداني كنوني، حداقل سوئينگ زير آستانه براي اين افزاره mV/dec60 مي باشد [1]. ترانزيستور تونلي بدون پيوند از هر دو مزاياي ترانزيستورهاي تونلي و بدون پيوند استفاده كرده و ضمن استفاده از يك نوع آلايش براي سورس، كانال و درين موجب افزايش سرعت كليدزني افزاره مي گردد. در اين مقاله مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور NMOS تونلي بدون پيوند نامتجانس-GeSixGe1-x با ساختار گيت دو ماده اي مورد بررسي قرار خواهد گرفت. ساز و كار اصلي جريان در اين افزاره تونل زني نوار به نوار حامل ها از سورس به كانال مي باشد.در ساختار گيت دو ماده اي، از دو گيت با تابع كار متفاوت بر روي كانال استفاده گرديده است به گونه اي كه تابع كار گيت در فصل مشترك سورس با كانال طوري تنظيم شده است كه موجب افزايش احتمال تونل زني و كاهش سوئينگ زير آستانه گردد. سورس از نوع SixGe1-x، درين و كانال از نوع ژرمانيوم مي باشند. درصد مولي ژرمانيوم 0/2 (x) است.