بررسي اثر تهي‌جا در ساختار الكتروني بلور α -Al2O3

در اين مطالعه ساختار الكتروني رمبوهدرال α-Al2O3مورد بررسي قرار گرفته است. تغييرات ساختار نواري در حالتي كه يكي از اتم هاي Oيا Alحضور نداشته باشند ارزيابي شده است. محاسبات نشان ميدهد كه α-Al2O3يك گذار مستقيم در نقطه Γدارد و گاف انرژي به دست آمده از روش 6/3 eV ،DFTميباشد. همچنين تهي جاي Oبيشتر از تهي جاي Alبر روي ساختار الكتروني بلور α-Al2O3 : تأثيرگذار است و در افزايش پاسخ اين بلور به عنوان آشكارساز مؤثر خواهد بود.