كاهش اثر سد شاتكي و بهبود بازده تبديل سلول خورشيدي CdS/CdZnTe با تدريجي كردن گاف انرژي لايه جاذب

يكي از عوامل اصلي محدوديت عملكرد سلولهاي CdTeدر مقايسه با مدلهاي آزمايشگاهي آنها، اثر منفي سد شاتكي ميباشد. در اين مقاله براي كاهش اثر منفي سد شاتكي و كاهش بازتركيب حاملها، يك لايه CdZnTeبا گاف انرژي تدريجي را جايگزين لايه جاذب CdTeكرده و اثر تغيير تدريجي گاف انرژي را بر عملكرد سلول به روش مدلسازي عددي بررسي ميشود. در شرايطي كه گاف انرژي در بازه1.42 -1.86 eVتغيير ميكند حداكثر بازده در مدلسازي %27/1به دست ميآيد. با در نظر گرفتن مقدار سد شاتكي نزديك به مقدار آزمايشگاهي، بازده سلول %19/8بدست ميآيد كه نسبت به بازده آزمايشگاهي سلول كه حدود %16/19است، %3/6 بهبود يافته است