بررسي خواص الكتروفيزيكي واريستورهاي كامپوزيتي بر مبناي سيليسيم نوع n-پليمر

واريستورهاي كامپوزيتي سيليسيم نوع -nپليمر به روش پرس گرم در دماي 130درجه سانتي گراد و فشار 60مگاپاسكال تهيه شدند. بررسي ويژگي جريان ولتاژ نمونه - -ها نشان ميدهد كه با افزايش سيليسيم نوع n ولتاژ شكست ز ولت 200ولت به 130ا كاهش يافته ولي ، جريان نشتي افزايش مييابد كه اين رفتار به كاهش مقدار پليمر در مرز بين دانه اي و كاهش سد پتانسيل مربوط ميشود. برخلاف ولتاژ شكست، ضريب غير خطي واريستور با افزايش سيليسيم از 5.5 به 8.7افزايش مي يابد. تصاوير SEMنيز احاطه شدن دانه ها توسط فاز پليمري در درصدهاي پايين سيليسيم نوع nو سپس كاهش فاز پليمري را نشان مي دهند.