شماره ركورد كنفرانس
4220
عنوان مقاله
آناليز عملكرد JL-DG MOSFET و بررسي پارامترهاي آن در حوزه RF
پديدآورندگان
نيك پيمان pnnikseresht@gmail دانشگاه آزاد اسلامي
تعداد صفحه
4
كليدواژه
JL DG , MOSFET , SCE
سال انتشار
۱۳۹۴
عنوان كنفرانس
هجدهمين كنفرانس ملي دانشجويي مهندسي برق ايران
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مقاله عملكرد ماسفت دو گيتي بدون پيوند در ساختارهاي مختلف و يكسري پارامترهاي آن در حوزه RF بررسي گرديده اند، بويژه مشخصه هاي الكتريكي افرازه نانومتري ماسفت دو گيتي بدون پيوند بررسي و مقايسه عددي و نموداري نيز شده اند. تحليل هاي مربوطه نشان ميدهدJL-DG MOSFET افرازه پيشرفته اي است كه توانايي مقياس پذيري بالايي دارد. و با توجه به بررسي هاي بعمل آمده افزارهJL-DG MOSFET نمونه خوبي براي كنترل (SCE) ها و نوسانات زير آستانه مي باشند.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک