شماره ركورد كنفرانس :
4220
عنوان مقاله :
آناليز عملكرد JL-DG MOSFET و بررسي پارامترهاي آن در حوزه RF
پديدآورندگان :
نيك پيمان pnnikseresht@gmail دانشگاه آزاد اسلامي
كليدواژه :
JL DG , MOSFET , SCE
عنوان كنفرانس :
هجدهمين كنفرانس ملي دانشجويي مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله عملكرد ماسفت دو گيتي بدون پيوند در ساختارهاي مختلف و يكسري پارامترهاي آن در حوزه RF بررسي گرديده اند، بويژه مشخصه هاي الكتريكي افرازه نانومتري ماسفت دو گيتي بدون پيوند بررسي و مقايسه عددي و نموداري نيز شده اند. تحليل هاي مربوطه نشان ميدهدJL-DG MOSFET افرازه پيشرفته اي است كه توانايي مقياس پذيري بالايي دارد. و با توجه به بررسي هاي بعمل آمده افزارهJL-DG MOSFET نمونه خوبي براي كنترل (SCE) ها و نوسانات زير آستانه مي باشند.
