يك تقويت كننده كمنويز ديفرانسيلي محدوده گيگاهرتز يكپارچه بهبود يافته

در اين مقاله، يك توپولوژي نوين low noise amplifier ديفرانسيلي با figure of merit و همچنين مصرف توان بهبود يافته ارائه شده است. اين روش بر اساس يك طرح ترانسكانداكتوري جديد با قابليت طراحي آسان است، كه در آن، مسير جريانهاي ac و dc عبوري از سلفهاي خطي ساز و باياسينگ مدار از هم جدا شده اند. كاربرد توپولوژي پيشنهادي در طراحي ساده يك low noise amplifier ديفرانسيلي يكپارچه از نوع cmos در محدوده فركانسي گيگاهرتز بررسي شده است. براي ارزيابي طرح پيشنهادي و مقايسه آن با كارهاي اخير، از نتايج شبيه سازي با استفاده از كيت طراحي CMOS 180nm TSMC RF استفاده شده است.