شماره ركورد كنفرانس :
4259
عنوان مقاله :
يك XOR جديد با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو لوله كربني براي كاربردهاي ولتاژ پايين و توان پايين
پديدآورندگان :
باغي رهين امير amir.baghi@sardroud-iau.ac.ir مربي، گروه مهندسي برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود ، ايران , باغي رهين وحيد گروه مهندسي برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود، ايران
كليدواژه :
مدارهاي تمام جمع كننده , XOR , ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني ((CNTFET , سوئينگ ولتاژ كامل , حاصلضرب تاخير در توان(PDP) .
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي نانو ساختارها، علوم و مهندسي نانو
چكيده فارسي :
از آنجايي كه اتلاف توان پويا در CMOS متناسب با Vdd2است، عملكرد ولتاژ پايين مدار يك مسئله مهم مي باشد. در اين مقاله، يك XOR جديد ولتاژ پايين پيشنهاد شده است كه با استفاده از ترانزيستور هاي اثر ميدان نانو لوله كربني (CNTFET) پياده سازي شده است. XOR پيشنهادي مي تواند در مدارات جمع كننده استفاده شود. اهداف طراحي اصلي براي اين مدار جديد، اتلاف توان كم و سوئينگ ولتاژ كامل در يك ولتاژ تغذيه كم (Vdd = 0.8 V) مي باشد. چندين مدار XOR به طور كامل با استفاده از HSPICE با تكنولوژي 32nm CMOS و 32nm CNTFET در يك ولتاژ تغذيه كم شبيه سازي شده اند. مدار XOR پيشنهادي با مدارهاي قبلاً شناخته شده مقايسه شده و عملكرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبيه سازي ها نشان مي دهند كه XOR ولتاژ پايين جديد، تلفات توان كمتر و حاصلضرب تاخير در توان(PDP) كوچكتري در مقايسه با ساير مدارات XOR قبلي دارد.
