شماره ركورد كنفرانس :
4259
عنوان مقاله :
يك تمام جمع كننده سرعت بالا و ولتاژ پايين بهينه شده با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET)
پديدآورندگان :
باغي رهين امير amir.baghi@sardroud-iau.ac.ir گروه مهندسي برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود، ايران , باغي رهين وحيد گروه مهندسي برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود، ايران
كليدواژه :
سلول تمام جمع كننده يك بيتي , ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) , حاصلضرب تاخير در توان (PDP) , ولتاژ پايين , ادوات نانو.
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي نانو ساختارها، علوم و مهندسي نانو
چكيده فارسي :
در اين مقاله يك سلول تمام جمع كننده يك بيتي مبتني بر ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) سرعت بالا و با كارايي بالا براي كاربردهاي ولتاژ پايين ارائه شده است. سلول تمام جمع كننده پيشنهاد شده براساس اصلاح تمام جمع كننده 28 ترانزيستوري CMOS مي باشد كه سيگنالهاي Sum و Cout را به شيوه اي سري توليد مي كند و داراي 24 ترانزيستور مي باشد. اين طرح از ويژگي هاي منحصر به فرد GNRFET هاي شبه MOSFET براي دستيابي به عملكرد بالا بهره مي گيرد. شبيه سازي ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوري هاي16nm-CMOS و 16nm-GNRFET انجام شده اند. نتايج شبيه سازي برتري طراحي پيشنهادي از نظر سرعت و حاصلضرب تاخير در توان (PDP) را در مقايسه با سلول تمام جمع كننده كلاسيك مبتني بر CMOS نشان مي دهد.
