مدل تحليلي تراكم حامل نانو نوارهاي گرافني سه لايه

با استفاده از كاربرد گرافن در صنعت الكترونيك مي توان به ترانزيستورهاى سريع و كوچك با مصرف انرژى كمتر و پراكندگى حرارتى بيشتر نسبت به ابزارهاى پايه سيليكونى دست يافت. از آنجايي كه لبه هاي گرافن تعيين كننده خواص الكتريكي آن هستند، مي توان آنها را به دليل شكل متفاوتشان تحت كنترل در آورد. در اينجا گرافن نانو ريبون سه لايه مورد بررسي قرار مي گيرد كه داراي دو ساختار متفاوت از نظرلبه مي باشد. اين تحقيق، يك مدل سازي از وضعيت غلظت حامل را در حالت هاي تبهگن و ناتبهگن در مورد ارائه مي دهد. با استفاده از بسط تيلور بر روي توزيع نسبي انرژي و چگالي حالات تراكم حالت ها مدل سازي مي شود.