مطالعه ي اصول اوليه ي خواص ساختاري، الكتروني و فونوني نانولايه هاي ZnX(X=O, S, Se)

در پژوهش حاضر به بررسي و مطالعه خواص ساختاري، الكتروني و فونوني نانولايه هاي اكسيد روي، سولفيد روي و سلنيد روي با استفاده از بسته نرم افزاري كوانتوم اسپرسو پرداخته شده است. محاسبات براساس نظريه تابعي چگالي و نظريه تابعي چگالي اختلالي و تخمين انرژي تبادلي همبستگي انجام گرفته است. بررسي و تجزيه و تحليل ساختار نواري و چگالي حالت نانولايه-هاي اكسيد روي، سولفيد روي و سلنيد روي نشان داد كه همگي نيمه رساناي غيرمغناطيسي با گاف نواري مستقيم هستند. گاف نواري محاسبه شده براي نانولايه اكسيد روي برابر 87 /1 و سولفيد روي برابر 66 /2 و سلنيد روي برابر 9/ 1 الكترون ولت بدست آمده است. همچنين نتايج مربوط به منحني هاي پاشندگي فونوني و چگالي حالت فونوني محاسبه شده نشان داد كه نانو لايه هاي اكسيد روي و سولفيد روي و سلنيد روي به ترتيب داراي گاف فونوني با مقادير 3/245 و 88/156 و 53/70 بر سانتي متر هستند. نمودار ظرفيت گرمايي هر سه ساختار در دماهاي مختلف با تقريب هارمونيك رسم گرديد كه نشان داد ظرفيت گرمايي ويژه با افزايش جرم اتمي كاهش مي يابد بنابراين اتم سبك تر گرماي ويژه بيشتري به خود اختصاص مي دهد.