شماره ركورد كنفرانس :
4259
عنوان مقاله :
شبيه سازي ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني با استفاده از مدل مداري
پديدآورندگان :
عظيمي زاده حميد azimzadeh110@gmail.com گروه مهندسي برق-الكترونيك، پرديس علوم و تحقيقات دماوند ، دانشگاه آزاد اسلامي ، دماوند ، ايران. گروه مهندسي برق-الكترونيك، واحد دماوند ، دانشگاه آزاد اسلامي ، دماوند ، ايران. , خواجه صالحاني حجت الله گروه مهندسي برق-الكترونيك، واحد دماوند ، دانشگاه آزاد اسلامي ، دماوند ، ايران
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني , مدل مداري , تقريب تكه اي مرتبه سوم , الگوريتم خودسازگار
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي نانو ساختارها، علوم و مهندسي نانو
چكيده فارسي :
در اين مقاله ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني با استفاده از تقريب تكه اي مربوط به چند جمله اي مرتبه سوم چگالي بارهاي متحرك غير تعادلي شبيه سازي مي شود. با استفاده از اين تقريب سرعت حل خودسازگار معادله ولتاژ مستخرج از مدل مداري براي ترانزيستور نانو لوله كربني جهت محاسبه جريان درين تا 100 برابر بيشتر مي شود . تاثير پارامترهايي مانند سطح تراز فرمي و قطر نانولوله بر منحني جريان درين-ولتاژ درين ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني بررسي مي شود.
