شماره ركورد كنفرانس :
4259
عنوان مقاله :
يك OTA بهبود يافته بهره بالا با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو لوله كربني براي كاربردهاي ولتاژ پايين و توان پايين
پديدآورندگان :
باغي رهين امير amir.baghi@sardroud-iau.ac.ir مربي، گروه مهندسي برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود ، ايران , باغي رهين وحيد مربي، گروه مهندسي برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود، ايران
كليدواژه :
تقويت كننده ترارسانايي عملياتي (OTA) , ساختار دو طبقه , ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني (CNTFET) , ولتاژ پايين و توان پايين.
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي نانو ساختارها، علوم و مهندسي نانو
چكيده فارسي :
در اين مقاله يك تقويت كننده ترارسانايي عملياتي(OTA) دو طبقه بهينه شده با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو لوله كربني (CNTFET) ارائه شده است. اولين طبقه اين OTA يك مسير پيشرو جهت حذف سيگنالهاي حالت مشترك و دومين طبقه، فيدبك حالت مشترك جهت تثبيت ولتاژ حالت مشترك خروجي دارا مي باشد. اين OTA با تكنولوژي 32nm CNTFET طراحي و شبيه سازي شده است. ولتاژ كاري اين مدار 0.6 V بوده و بهره dc آن 93.81 dB مي-باشد. فركانس كاري بهره واحد (UGF) حاصله برابر با 8.51 MHz بوده و حد فاز آن °52 است. توان مصرفي ساختار پيشنهادي با بار خازني 13 پيكو فاراد و بار مقاومتي 100 كيلو اهم 74.77µW بوده و براي كاربردهاي ولتاژ پايين و توان پايين مناسب است. براساس شبيه سازي هاي انجام گرفته اين ساختار حتي در ولتاژ تغذيه 5/ 0 ولت نيز عملكرد ممتازي از خود نشان مي دهد.
