شماره ركورد كنفرانس :
4259
عنوان مقاله :
شبيه سازي و تحليل ترانزيستور اثر ميدان حساس به يون بروميد
پديدآورندگان :
شاكرنسب سميه Shakernasab1@yahoo.com دانشگاه شهيد چمران اهواز، دانشكده مهندسي، گروه برق , كوثريان عبدالنبي دانشگاه شهيد چمران اهواز، دانشكده مهندسي، گروه برق
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميدان , يون بروميد , حساسيت , ولتاژ آستانه
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي نانو ساختارها، علوم و مهندسي نانو
چكيده فارسي :
در اين مقاله ترانزيستور حساس به يون بروميد شبيه سازي شده است. نتايج شبيه سازي حساسيت ترانزيستور موردنظر به پارامترهايي مانند ضخامت و جنس اكسيد گيت و طول گيت براي رسيدن به بالاترين حساسيت را ارائه مي كند. بر اساس نتايج شبيه سازي با افزايش غلظت بروميد، ولتاژ آستانه ISFET بطور خطي افزايش مي يابد. علاوه بر اين با افزايش مولار بروميد، ولتاژ آستانه با افزايش ضخامت اكسيد و افزايش طول كانال، افزايش مي يابد. همينطور بيشترين نرخ افزايش ولتاژ آستانه ISFET با افزايش مولار بروميد، به ترتيب براي جنس هاي اكسيد گيت SiO2، Si3N4، Al2O3 و Ta2O5 بدست آمده اند.
