گاف نواري بلورهاي فوتوني يك بعدي ساخته شده از لايه‌هاي متناوب SiO2/ MoS2 وMoS2 / PMMAتحت تابش باريكه گاوسي

در اين مقاله، امكان به دست آوردن بلورهاي فوتوني يك بعدي كه شامل مواد كم هزينه و هميشه در دسترس دي اكسيد سيليكون (SiO2) يا پلي متيل متاكريلات (PMMA) وتك لايه‌هاي دي سولفيد موليبيديوم (MoS2 ) است ارائه شده است. باا اعمال ماتريس انتقال تحت باريكه گاوسي به بلورهاي فوتوني با لايه هاي SiO2/ MoS2 وMoS2 / PMMA و بكارگيري ضرايب شكست وابسته به طول موج اين لايه ها، طيف تراگسيل و ويژگي‌هاي گاف نواري فوتوني آنها مورد بررسي قرار گرفته است. با افزايش مختصه شعاعي rدر باريكه گاوسي، مكان گاف نوارهاي فوتوني به سمت فركانس­هاي پايين تر جابجا شدند. با افزايش ضخامت لايه‌هاي درهر يك از اين بلورهاي فوتوني، پهناي گاف نواري بطور قابل ملاحظه‌اي افزايش يافت و يك جابجايي به سمت فركانس هاي پايين تر را نشان داد.