اثر فوتورسانندگي ماندگار در ساختار دورآلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si

- در اين مقاله، اثر فوتورسانندگي ماندگار در ساختار دور آلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si رشد يافته به روش برآرايي پرتو مولكولي ، بررسي شده است. در لايه آلياژي اين ساختارها (SiGe) گاز حفره اي دوبعدي 2DHG با چگالي سطحي nh مشاهده شده است كه با تابش نور مي توان چگالي آن را تغيير داد. نتايج تجربي بدست آمده از آزمايش اندازه گيري اثر هال مشخص مي كندكه تابش نور قرمز به ساختار در دماي 4.2 كلوين، چگالي گاز حفره اي دوبعدي و رسانندگي ساختار را افزايش ميدهد. اين افزايش ناشي از جذب نور در لايه پوششي ساختار و توليد زوج الكترون- حفره و خنثي شدن بارهاي سطحي است.