خواص اپتيكي نانو سيم هاي سيليسيمي ساخته شده به روش 1-MACE

نانو سيم­هاي سيليسيمي به روش سونش شيميايي تك مرحله­اي در زمان­هاي متفاوت (80min و 60، 30) تهيه شده اند. با توجه به تصاوير FESEM آرايه ­هايي از نانو سيم­ها به­صورت منظم، متراكم و عمود بر سطح تشكيل شده است. اگرچه با افزايش زمان سونش از 30 به 60 دقيقه طول نانوسيم­ها افزايش و قطر آنها كاهش يافته اما با ادامه فرايند تا 80 دقيقه از طول نانو سيم ها كاسته شده اند. با استفاده از طيف بازتاب و رابطه­ ي Kubelka-Munk گاف نواري اپتيكي نمونه­ ها محاسبه شدند. دريافتيم با افزايش زمان سونش گاف نواري از eV 1/36 به eV 1/58 تحت تاثير وقوع محدوديت كوانتومي افزايش يافته­ اند. اين تغييرات مي تواند در آشكارسازهاي نوري مفيد باشد.