مطالعه نظري توزيع شدت در ساختار ارتعاشي جهش الكتروني مجاز در مولكول سيسـ هگزاتري ان

دراين تحقيق، روش¬ حيطۀ¬ زمان براي محاسبة¬ ساختار ارتعاشي ـ الكتروني طيف جذبي مولكول سيس ـ5،3،1 ـ هگزاتري¬ان در تقريب كوندون در دماي صفر كلوين به كار برده شده است. در اين روش، طيف جذبي مولكول¬ها را مي¬توان برحسب تبديل فوريه توابع همبستگي زماني مناسب به دست آورد كه براي سطوح پتانسيل هماهنگ جابه¬جا شده ـ تغيير شكل يافته ـ چرخيده به شكل بسته محاسبه مي¬شوند. بدين ترتيب، شدت نسبي اغلب نوار هاي ارتعاشي ـ الكتروني را كه در طيف جذبي ظاهر شده¬اند، پيش¬بيني و با داده¬هاي تجربي و نظري در دسترس مقايسه شده است. طيف حاصل عمدتاً از نوارهايي شامل سه شيوة¬ متقارن كامل (كششي پيوند دوگانه¬ )، (كششي پيوند ساده¬¬ ) و (خمشي زاويه¬اي اسكلتي) تشكيل مي شود كه از ميان آنها و شيوه¬هاي ارتعاشي هستند كه طولاني¬ترين تسلسل¬ها را بنا مي¬كنند و بالاترين شدت را دارند؛ در صورتي كه فعاليت كمتري دارد. طيف، همچنين، نوارهاي تركيبي مانند و را نشان مي¬دهد كه به وسيله شيوه¬هاي ايجاد مي¬شوند.