تاثير عمق خوردگي در طراحي مقسم توان تداخل چند مود مبتني بر مواد InP

Effect of Etch Depth on Design of InP Based Multi-Mode Interferometer

در اين مقاله، ساختار هيبريدي پلاسمونيكي با زيرلايه InP جهت طراحي و بهبود مقسم توان نوري 1*2 توسط تداخل چند مود طراحي و تحليل شده است. در ساختار موجبر، لايه هسته (InGaAsP) مي تواند داراي عمق خوردگي متغييري از صفر تا 500 نانومتر باشد. با بررسي هاي انجام شده در اين مقاله نشان داده شده است كه با افزايش عمق خوردگي، طول انتشار در موجبر پلاسمونيكي مبتني بر InP تا 50 درصد كاهش مي يابد. همچنين با كاهش عمق خوردگي در ساختار موجبر، توان انتقال نوري در مقسم توان تداخل چند مود مي توان طول لازم براي داشتن يك مقسم توان يك ورودي دو خروجي را تا حدود 60 نانومتر كاهش داد و طول آن را به كمتر از 650 نانومتر كاهش داد كه در مقايسه با كارهاي قبلي طول مقسم توان بيش از 460 نانومتر كمتر شده است در حالي كه درصد انتقال توان بيشتر از 90 درصد حفظ شده است. با توجه به اهميت مقسم هاي توان در مدارات مجتمع فتونيكي، اين مسئله تحقق مدارات مجتمع يكپارچه فتونيكي را بيش از پيش ميسر مي كند.