بررسي خواص الكترونيكي نقاط كوانتومي فسفورن تحت اثر آلاييدن با اتم نيتروژن

Invistigation of the Electronic Properties of Phosphorene Quantum Dots Under Doped With Nitrogene Atom

فسفورن همراه با گاف نواري قابل كنترل و ويژگي‌هاي بي‌نظير الكترونيكي، يك نيمه رساناي دوبعدي است كه در بسياري از زمينه‌هاي كاربردي اهميت خود را نشان داده است كه مي‌توان به سنجش گازي، ساخت دستگاه‌هاي نوري-حرارتي و الكترونوري، ساخت باتري و هم‌چنين ترانزيستورها اشاره كرد. در اين مقاله ابتدا به بررسي خواص الكترونيكي نقاط كوانتومي فسفورن پرداخته شده و سپس با آلاييده كردن ساختار توسط اتم هاي نيتروژن، تغييرات كميت هايي مانند گاف نواري، قطبش پذيري و طيف IR مورد بررسي قرار گرفته است. در راه پيشبرد اين اهداف از نظريه تابع چگالي استفاده شده است. مشاهده گرديد كه ساختارها داراي گاف نواري نيم رسانا هستند و با افزايش ابعاد و همچنين آلايش اتم نيتروژ،ن گاف نواري آن‌ها كاهش پيدا مي كند. همچنين در طيف IR با افزايش تعداد نيتروژن ها يك جابجايي طيفي به سمت بسامد هاي پايين تر ناشي از نوسان هاي پيوندهاي نيتروژن-فسفر مشاهده مي گردد. لذا نقاط كوانتومي فسفرن مي توانند به عنوان حسگر براي گازهاي آلاينده نيتروژن دار استفاده گردند.