اثر نقص تهي‌جا بر ويژگي‌هاي الكتروني نانونوار‌هاي فسفريني ابرشبكه

Effect of Vacancy Defect on Electronic Properties of Superlattice Phosphorene Nanoribbons

در اين مقاله با استفاده از روش تنگ‌بست، ساختار نواري نانونوارهاي فسفريني ابرشبكه با لبههاي زيگزاگ-زيگزاگ و ريش-ريش را در حضور نقص تهي‌جاي تكي و دوگانه واقع در لبه و ناحيه مياني بررسي مي‌نماييم. محاسبات ما نشان مي‌دهد كه اين نقصها در مورد ابرشبكه با لبه زيگزاگ-زيگزاگ نمي‌تواند تاثير محسوسي بر روي ساختار نواري داشته باشد و تنها تعدادي نوار مياني در گاف نواري اوليه به وجود مي‌آورد و ابرشبكه همچنان فلز است. اما در مورد ابرشبكه با لبه ريش-ريش افزون بر موارد بالا، يك گذار فاز نيم‌رسانا-فلز مشاهده ميكنيم.

In this paper, we use the tight binding method to study the band structure of the zigzag-zigzag and beard-beard superlattice phosphorene nanoribbons in the presence of a single and double vacancy defects located on the edge and middle region of the system. Our calculations show that these defects for a zigzag-zigzag model cannot have a significant effect on the electronic structure and create only a few middle bands in the initial band gap, so the superlattice remains a metal. But in the case of a superlattice with a beard-beard edge, in addition to the above result, we observe a semiconductor-metal phase transition.