رسانش از سد دي سلنيوم تنگستن از ميان اتصالات گرافيني

Conductance of WSe2 Barrier through the Graphene Junctions

الكترونها در دي كالكوژنيدهاي فلزات واسطه داراي درجهي آزادي كوانتومي وادي و اسپين هستند.در اين مقاله، ترابرد الكتروني بالستيك از ميان اتصالات گرافن نرمال در دو طرف دي سلنوئيدتنگستن ودر حضور ميدان هاي زيمان اسپين(Ms)ودره(Mv) ويك پتانسيل الكتريكي U،با ضخامت d ،مطالعه گرديده وبا استفاده از ديدگاه پراكندگي لاندائو _بوتيكر رسانش را محاسبه كرده ايم.نتايج نشان مي دهند گاف نواري ذاتي Wse2 مي تواند كنترل قابل ملاحظه اي را برروي رسانش گرافن تك لايه نرمال داشته باشد؛ طول ناحيه مياني هراندازه هم كه بزرگ باشد نمي تواند مانع رسانش بار ذره شده و همچنان با افزايش طول ناحيه ،بدليل پديده تونل زني كلاين ،رسانش غير صفرخواهيم داشت.

Charge carriers in transition metal dichalcogenides have the spin and valley degrees of freedom. In this paper, we evaluate the conductance and valley polarized current through the Wse2 junctions sandwiched between graphene sheets. We compute the conductance based on the scattering of Landauer buttiker formula in the presence of spin Ms and valley Mv Zeeman fields and electric potential U. The results show that inherent band gap can have a significant control over the normal graphene conductivity and also the variation in conduction in terms of the length of the middle region of any size is also large.in fact because of Klein’s tunneling, we will have a nonzero conductance and perfect valley polarized current.