بررسي خواص اپتوالكترونيكي نقاط كوانتومي گرافن

در اين مقاله به منظور بررسي خواص اپتوالكترونيكي به شبيهسازي نقاط كوانتومي گرافن پرداختهايم. لذا در اين راستا با روش نظريه تابع چگالي DFT به كمك نرم افزار گاوسين ،روش B3LYP 6 نقاط كوانتومي گرافن مدلسازي نمودهايم وسپس به تحليل و بررسي نتايج آن پرداختهايم. بررسي نتايج نشان - وپايه 133 ميدهد كه هر چه نقاط كوانتومي كوچكتر و متقارنتر باشند، داراي گاف نواري بزرگتري خواهند بود. از طرف ديگر با افزايش تعداد اتمها بسامد تشديد افزايش پيدا ميكند. با اين تفاسير به كمك اين طراحيها قادر خواهيم بود، نقاط كوانتومي گرافن را با خواص اپتوالكترونيكي دلخواه تنظيم نماييم