شماره ركورد كنفرانس
4341
عنوان مقاله
مطالعه مشخصات الكتريكي لايه هاي منفعل ساز مبتني بر نيمه هادي اينديوم آنتيمونايد
عنوان به زبان ديگر
The electrical characterization study of passivation layers on InSb semiconductor
پديدآورندگان
تقي زاده هدايت الله hedayatt2000@yahoo.com دانشكده شيمي دانشگاه صنعتي مالك اشتر ، اصفهان , سجادي شهاب الدين Ana@gmail.com دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه تهران ، تهران , باقر زاده مجيد m.baqerzadeh@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود ، شاهرود , خليلي سجاد sajjadkhalili2000@gmail.com دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان، سمنان , عبداللهي حميدرضا hamidabd19891989@gmail.com دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان، سمنان , نظام دوست حميد h.nezamdoost@gmail.com دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه تهران ، تهران
تعداد صفحه
4
سال انتشار
1396
عنوان كنفرانس
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
اينديوم آنتيمونايد از جمله مهمترين نيمه هادي ميباشد كه براي آشكارسازي امواج مادون قرمز مورد استفاده قرار ميگيرد. ايجاد ترازهاي انرژي مجاز درون گاف انرژي اين ماده كه پس از فرآيند منفعل در محل فصل مشترك بستر اين نوع آشكارساز و لايه عايق آنها پديد ميآيد منشا بسياري از مشكلات عملكردي در اين نوع افزاره ميباشد. در اين پژوهش جهت تعيين لايه مناسب براي منفعل سازي آشكارسازهاي نوري مبتني بر اينديوم آنتيمونايد چهار نوع لايه اكسيد آنودي، سولفوري ، سيليكون نايترايد و سيليكون اكسايد به دقت مورد بررسي قرار گرفتند. بررسي به كمك عكسهايي كه توسط ميكروسكوپ نيروي اتمي جهت تعيين مورفولوژي لايه منفعل ساز حاصل گرديده است. با استفاده از آزمايش پراش اشعه ايكس استوكيومتري لايههاي تشكيل شده را تعيين كرديم. اندازه گيري خازن بر حسب ولتاژ (C-V) نشان ميدهد كه كمترين چگالي نقصهاي فصل مشترك (1012×4/3) براي لايه سيليسيم اكسايد قابل حصول است.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک