شبيه سازي رشد لايه ي Siحاصل از شار ورودي گاز SiH4 به محفظه ي فشار پايين با روش لايه نشاني از طريق تبخير شيميايي(CVD) با استفاده از نرم افزار COMSOL

Simulation of the growth of Si resulted from the SiH4 gas inlet flux into the low-pressure chamber with Chemical Vapor Deposition (CVD) method using COMSOL Multiphysics

در اين مقاله با استفاده از معادلات حركت و انتقال جرم همراه با واكنش، فرآيند لايه نشاني صورت گرفته است كه تمامي مراحل، با استفاده از نرم افزار شبيه سازي COMSOL مي باشد. با استفاده از محفظه فشار پايين، لايه نشاني به عنوان تابعي از شار مكانيكي توصيف مي شود. در اين مطالعه روش لايه نشاني تبخير شيميايي) (CVD، براي شبيه سازي استفاده شده است. نتايج نشان داد كه نرخ رشد لايه ي Si بر روي صفحات محفظه، وابسته به غلظت گاز SiH4 ورودي به محفظه است و واضح است كه با افزايش غلظت و شار عبوري از محفظه و صفحات، نرخ رشد لايه ي Si افزايش خواهد يافت.

In this paper, model the momentum and mass transport equations coupled to the reaction kinetics for the deposition process and we use COMSOL Multiphysics to simulate this example. We treat a low-pressure reactor, where the goal of the simulation is to describe the rate of deposition as a function of the fluid mechanics and kinetics in the system. In this study, by using simulation chemical vapor deposition (CVD) method for this simulation .Chemical vapor deposition (CVD) is an important step in the process of manufacturing microchips. The results show that the deposition rate of Si on wafers, depends on the density of SiH4 gas inlet flux into the chamber and it is clear that increasing the density and flux will increase the deposition rate of Si on wafers.