شماره ركورد كنفرانس :
4341
عنوان مقاله :
بررسي خواص اپتوالكترونيكي نقاط كوانتومي گرافن
عنوان به زبان ديگر :
Optoelectronic properties of geraphene quantum dots
پديدآورندگان :
داودي معصومه smdavoodi2190@gmail.com گروه فيزيك، دانشگاه خليج فارس، بوشهر؛ , جلالي تهمينه tah_jalali@yahoo.com گروه فيزيك، دانشگاه خليج فارس، بوشهر؛ , شيركاني حسين h.shirkani@gmail.com گروه فيزيك، دانشگاه خليج فارس، بوشهر؛
كليدواژه :
نقاط كوانتمي گرافن , خاصيت اپتوالكترونيكي
عنوان كنفرانس :
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
چكيده فارسي :
در اين مقاله، به منظور بررسي خواص اپتوالكترونيكي به شبيه‌سازي نقاط كوانتومي گرافن پرداخته‌ايم. لذا در اين راستا با روش نظريه تابع چگالي DFT به كمك نرم افزار گاوسين، روش B3LYP وپايه 311-6 نقاط كوانتومي گرافن مدل‌سازي نموده‌ايم. بررسي نتايج نشان مي‌دهد كه هر چه نقاط كوانتومي كوچك‌تر و متقارن‌تر باشند، داراي گاف نواري بزرگتري خواهند بود. از طرف ديگر با افزايش تعداد اتم‌ها بسامد تشديد افزايش پيدا مي‌كند. در نتيجه مي‌توان نقاط كوانتومي گرافن را با خواص اپتوالكترونيكي دلخواه تنظيم كرد.
