شماره ركورد كنفرانس :
4341
عنوان مقاله :
تاثير فشار جزيي گاز بر ضريب شكست لايه هاي نازك سيليكون كربايد تهيه شده به روش رسوب بخار شيميايي سيم داغ از گازهاي متان و سيلان
عنوان به زبان ديگر :
Effect of gas partial pressure on refractive index of silicon carbide thin film prepared by hot wire chemical vapor deposition technique from CH4/SiH4
پديدآورندگان :
فخرالدين مهرنوش m.fakhredin@gmail.com دانشگاه سمنان؛ , شريعتمدار طهراني فاطمه f_tehrani@semnan.ac.ir دانشگاه سمنان؛ , جعفر تفرشي مجيد mtafreshi@semnan.ac.ir دانشگاه سمنان؛
عنوان كنفرانس :
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
چكيده فارسي :
لايه نازك نيمرساناي سيليكون كربايد به دليل خواص اپتوالكتريكي، مكانيكي، حرارتي و... بسيار مورد توجه قرار گرفته است. اين ماده با روشهاي مختلفي از جمله PECVD,LPCVD,HWCVD و روشهاي ديگر لايه نشاني ميشود.روش HWCVD روشي مبتني بر سيم داغ در محفطه لايه نشاني است كه مزيت آن بر ديگر روشها نرخ رسوب بالاتر ، روش آسانتر، كم هزينه تر، و قدرت كنترل بيشتر پارامترهاي لايه نشاني از پيش ماده هاي گازي ميباشد.در اين مقاله تاثير فشار جزيي ناشي از گازهاي واكنش دهنده بر ضريب شكست لايه هاي نازك سيليكون كربايد (SiC) مورد بررسي قرار گرفته است.طيف عبوري UV-VIS-NIR جهت محاسبه ضريب شكست لايه ها به كار گرفته شد.نتايج نشان داد كه افزايش غلظت گازهاي واكنش دهنده سبب تغيير خواص اپتيكي شده است كه ناشي از تغيير ساختار در نمونه ها ميباشد.اين تغيير ساختار در طيف FT-IR بدست آمدهاز نمونه ها كاملا تاييد ميشود
