شماره ركورد كنفرانس
4343
عنوان مقاله
اثر تاشدگي بر پاسخ امپدانس مغناطيسي نوارهاي نانوبلور مغناطيسيFe_78 Si_9 B_13
پديدآورندگان
محمدي زين آبادي مهسا محمدي گروه فيزيك، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامي، مرودشت، ايران. , ستوده وحيد v.setoodeh@yahoo.com مركز تحقيقات ميكروالكترونيك و لايه نشاني، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامي، مرودشت، ايران
تعداد صفحه
5
كليدواژه
نوارهاي نانوبلور مغناطيسي , اثر امپدانس مغناطيسي , حلقه پسماند مغناطيسي.
سال انتشار
1395
عنوان كنفرانس
دومين كنفرانس فيزيك نانو و فرامواد: شبيه سازي تا صنعت
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
نوارهاي نانوبلور مغناطيسي به علت دارا بودن خواص مغناطيسي ويژه و هندسه مناسب مورد توجه قرار دارند. در اين مقاله اثر تاشدگي بر پاسخ امپدانس مغناطيسي(MI) نوارهاي نانوبلور Fe_78 Si_9 B_13 مورد بررسي قرارگرفته است. در يكي از نمونهها يك تاشدگي و ديگري سه تاشدگي ايجاد شده و نسبت امپدانس مغناطيسي آنها با حالت خام مقايسه شدهاند. امپدانس مغناطيسي در فركانس 8 MHz با استفاده از روش پروب چهار نقطهاي اندازهگيري شده است. به منظور مقايسه نتايج و تحليل خواص مغناطيسي، حلقه پسماند نمونهها نيز اندازهگيري و گزارش شده است. نتايج به دست آمده، اثر قابل ملاحظه تاشدگي بر پاسخ امپدانسي را تاييد كردهاند كه اين تغييرات در تطابق با نتايج حاصل از اندازهگيريهاي حلقه پسماند بودند.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک