شماره ركورد كنفرانس :
4343
عنوان مقاله :
اثر تاشدگي بر پاسخ امپدانس مغناطيسي نوارهاي نانوبلور مغناطيسيFe_78 Si_9 B_13
پديدآورندگان :
محمدي زين آبادي مهسا محمدي گروه فيزيك، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامي، مرودشت، ايران. , ستوده وحيد v.setoodeh@yahoo.com مركز تحقيقات ميكروالكترونيك و لايه نشاني، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامي، مرودشت، ايران
كليدواژه :
نوارهاي نانوبلور مغناطيسي , اثر امپدانس مغناطيسي , حلقه پسماند مغناطيسي.
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس فيزيك نانو و فرامواد: شبيه سازي تا صنعت
چكيده فارسي :
نوارهاي نانوبلور مغناطيسي به علت دارا بودن خواص مغناطيسي ويژه و هندسه مناسب مورد توجه قرار دارند. در اين مقاله اثر تاشدگي بر پاسخ امپدانس مغناطيسي(MI) نوارهاي نانوبلور Fe_78 Si_9 B_13 مورد بررسي قرارگرفته است. در يكي از نمونهها يك تاشدگي و ديگري سه تاشدگي ايجاد شده و نسبت امپدانس مغناطيسي آنها با حالت خام مقايسه شدهاند. امپدانس مغناطيسي در فركانس 8 MHz با استفاده از روش پروب چهار نقطهاي اندازهگيري شده است. به منظور مقايسه نتايج و تحليل خواص مغناطيسي، حلقه پسماند نمونهها نيز اندازهگيري و گزارش شده است. نتايج به دست آمده، اثر قابل ملاحظه تاشدگي بر پاسخ امپدانسي را تاييد كردهاند كه اين تغييرات در تطابق با نتايج حاصل از اندازهگيريهاي حلقه پسماند بودند.
