شماره ركورد كنفرانس :
4343
عنوان مقاله :
محاسبه ي چگالي حالت ها و نوار هاي انرژي نانوسيم InP به روش شبه پتانسيل
پديدآورندگان :
صالحي حمدا... salehi_h@scu.ac.ir دانشيار دانشگاه شهيد چمران اهواز، خوزستان، اهواز، دانشگاه شهيد چمران اهواز، گروه فيزيك , طولابي نژاد حسين كارشناسي ارشد دانشگاه شهيد چمران اهواز، خوزستان، اهواز، دانشگاه شهيد چمران اهواز، گروه فيزيك , جاوداني زهره دانشجو دكتري دانشگاه شهيد چمران اهواز، خوزستان، اهواز، دانشگاه شهيد چمران اهواز، گروه فيزيك
كليدواژه :
InP , نظريه تابعي چگالي , شبه پتانسيل , تراكم پذيري , ساختار نواري , نانو سيم
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس فيزيك نانو و فرامواد: شبيه سازي تا صنعت
چكيده فارسي :
در اين مقاله با توجه به نظريه تابعي چگالي و حل معادلات كوهن شم با استفاده از پايه هاي موج تخت به محاسبه ويژگي هاي الكتروني و ساختاري از جمله ساختار نوارهاي انرژي، چگالي حالت ها و توزيع چگالي بار نانو سيم InP پرداخته شده است.نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه نوارهاي انرژي سطح فرمي را قطع نكرده و داراي يك گاف انرژي به اندازه 49/1 الكترون ولت مي باشد كه سازگاري خوبي با نتايج تجربي دارد.هم چنين ديگر پارامترهاي محاسبه شده سازگاري خوبي با ديگر نتايج دارد .
