شماره ركورد كنفرانس :
4343
عنوان مقاله :
تجمع اسپيني و افت ولتاژ در يك نانوديوارة مغناطيسي بالستيك
پديدآورندگان :
فلاحي وحيد v.fallahi@bonabu.ac.ir استاديار، بناب، دانشگاه بناب، دانشكده علوم پايه، گروه مهندسي اپتيك و ليزر
كليدواژه :
ديوارة مغناطيسي , ترابرد بالستيك , مقاومت مغناطيسي , تجمع اسپيني
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس فيزيك نانو و فرامواد: شبيه سازي تا صنعت
چكيده فارسي :
مقاومت مغناطيسي (MR) بالستيك ديوارة مغناطيسي باريك واقع در يك نانواتصال بين دو نانوسيم نيمرساناي مغناطيسي نوع p با استفاده از رهيافت لانداور- بوتيكر مورد مطالعه قرار مي‌گيرد. خاصيت عبوري حالت‌هاي همدوس، با معرفي يك تكنيك جديد براي حل معادله شرودينگر جفت شده بين دو كانال اسپيني با شرايط مرزي، بدست مي‌آيد. علاوه بر اين، تراكم اسپيني انباشته شده به طور موضعي در طول نانوسيم ناشي از تزريق جريان اسپيني در نانواتصال، به طور عددي محاسبه مي‌گردد. نشان داده مي‌شود كه افت ولتاژ القايي در ديواره مغناطيسي بدليل انباشت اسپيني طولي مي‌تواند به طور قابل توجهي در رژيم بالستيك افزايش يابد.
