شماره ركورد كنفرانس :
4354
عنوان مقاله :
بررسي خواص الكترونيكي نانوصفحهي روي سولفيد(ZnS)با استفاده از نظريه تابعي چگالي
پديدآورندگان :
جعفري محمود jafari@kntu.ac.ir دانشيار دانشگاه خواجه نصير الدين طوسي،دانشكده فيزيك، تهران , علواني خديجه khadijealvani@yahoo.com كارشناسي ارشد فيزيك حالت جامد،دانشكده فيزيك ،دانشگاه خواجه نصير الدين طوسي
كليدواژه :
ظريه تابعي چگالي , خواص الكترونيكي , نانوصفحهي رويسولفيد , شبه گرافن
عنوان كنفرانس :
ششمين همايش ملي فناوري نانو از تئوري تا كاربرد
چكيده فارسي :
در اين مطالعه خواص الكترونيكي نانو صفحهي رويسولفيد كه يك نيمه رساناي مهم و پركاربرد مي باشد، با
محاسبه كرده و با بررسي نتايج به دست آمده از PBE-GGA استفاده از نظريه تابعي چگالي و با تقريب
محاسبات نشان دادهايم كه رويسولفيد داراي يك منطقه ممنوعهي پهن به مقدار 2,525 الكترون ولت است كه
با نتايج تجربي و ساير كار هاي گزارش شده مطابقت خوبي دارد.
