شماره ركورد كنفرانس
4354
عنوان مقاله
بررسي خواص الكترونيكي نانوصفحهي روي سولفيد(ZnS)با استفاده از نظريه تابعي چگالي
پديدآورندگان
جعفري محمود jafari@kntu.ac.ir دانشيار دانشگاه خواجه نصير الدين طوسي،دانشكده فيزيك، تهران , علواني خديجه khadijealvani@yahoo.com كارشناسي ارشد فيزيك حالت جامد،دانشكده فيزيك ،دانشگاه خواجه نصير الدين طوسي
تعداد صفحه
8
كليدواژه
ظريه تابعي چگالي , خواص الكترونيكي , نانوصفحهي رويسولفيد , شبه گرافن
سال انتشار
1396
عنوان كنفرانس
ششمين همايش ملي فناوري نانو از تئوري تا كاربرد
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مطالعه خواص الكترونيكي نانو صفحهي رويسولفيد كه يك نيمه رساناي مهم و پركاربرد مي باشد، با
محاسبه كرده و با بررسي نتايج به دست آمده از PBE-GGA استفاده از نظريه تابعي چگالي و با تقريب
محاسبات نشان دادهايم كه رويسولفيد داراي يك منطقه ممنوعهي پهن به مقدار 2,525 الكترون ولت است كه
با نتايج تجربي و ساير كار هاي گزارش شده مطابقت خوبي دارد.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک