بهينه‌سازي چاه كوانتومي AlGaAs براي ليزرهاي نيم‌رسانا 800 نانومتر پرتوان

در طراحي ليزرهاي نيم‌رسانا AlGaAs با بكارگيري مقادير مختلف درصد آلومينيوم و تغيير عرض چاه كوانتومي در ناحيه فعال ميتوان عملكرد ليزر را در طول موجهاي مختلف فراهم نمود. در عين حال عملكرد ليزر در شرايط بهينه در هر طول موج خاص به درصد معيني از الومينيم و عرض چاه مشخصي وابسته است. در اين مقاله ساختار ليزر بهينه براي طول موج 800 نانومتر بررسي شد. معيار بهينه سازي بر اساس دست يابي به بالاترين توان و كمترين جريان آستانه تعيين گرديد. در اين بهينه سازي محدوديتهاي رشد عملي مواد نيم‌رسانا و آستانه تخريب اپتيكي ليزر در نظر گرفته شد. براي طول موج 800 نانومتر بهترين عرض چاه كوانتمي 10 نانومتر و درصد مولار 085/0 براي مقدار آلومينيوم تعيين شد. در ليزر پيشنهادي، جريان آستانه 545 ميلي آمپر و تواني در حدود 2450 ميلي وات حاصل شد.