طراحي و شبيه سازي آنتن نوررسانا تراهرتز خودباياس بر اساس GaN، با استفاده از سد شاتكي نامتقارن

در اين منبع تراهرتز با استفاده از دو اتصال شاتكي نامتقارن بر روي لايه اي از جنس بلور GaN، ميدان داخلي لازم را ايجاد كرده ايم. با اين كار نياز به باياس خارجي حذف مي­گردد، كه يكي از مزاياي اين ساختار است. سپس با تابش يك پالس زماني گوسي باريك با طول موج nm 350 بر روي نيمه هادي باعث توليد حامل­ها درون منطقه فعال مي­شويم. تغييرات زماني سريع پالس ورودي عامل توليد فركانس هاي بالا در جريان تراهرتز توليدي مي­باشد. اين جريان متغير با زمان باعث توليد و انتشار ميدان تراهرتز به سمت كف افزاره مي­گردد. در اين مقاله، شبيه سازي‌ها دو بعدي و به روش عنصر متناهي انجام مي‌شود.