شماره ركورد كنفرانس :
4605
عنوان مقاله :
ترانزيستور نانوسيمي بدون پيوند گيت خميده با نرخ Ion/Ioff بالا
پديدآورندگان :
پورمهدي احسان e.pourmehdi@mail.sbu.ac.ir دانشكده برق، دانشگاه شهيد بهشتي، تهران، ايران؛ , شريفي محمد جواد m_j_sharifi@sbu.ac.ir دانشكده برق، دانشگاه شهيد بهشتي، تهران، ايران؛
كليدواژه :
ترانزيستور بدون پيوند , نانوسيم , گيت خميده , تونل زني باند به باند , نرخ جريان مد روشن به خاموش
عنوان كنفرانس :
بيست و ششمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله ساختاري معرفي شده است كه در آن بوسيله ايجاد تغيير در شكل عايق گيت نرخ جريان مد روشن به خاموش درترانزيستورهاي نانوسيمي بدون پيوند (JNT) بمقدار زيادي بهبود داده شده است. نشان داده شده است كه ايجاد تغييرات كنترل شده در ضخامت عايق ميتواند نرخ تونل زني باند به باند (BTBT) را از مقدار 1025 cm-3.s-1 به 1021 cm-3.s-1 كاهش دهد. به دليل اينكه در JNT نرخ BTBT سهم زيادي از جريان نشتي را به خود اختصاص مي دهد، از اين رو كاهش آن مي تواند تاثير چشمگيري بر Ioff ترانزيستور داشته باشد. دراين تحقيق از نرمافزار TCAD H-2013-03 Sentaurus براي شبيه سازي افزاره هاي ارائه شده و تاييد نتايج، استفاده شده است.
