شماره ركورد كنفرانس :
4605
عنوان مقاله :
سلول حافظه SRAM سه ارزشي مبتني بر CNTFET با تكنيك Sleep
پديدآورندگان :
قدياني امير amir.ghadyani@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي، واحد قزوين، دانشكده برق و مهندسي پزشكي، قزوين، ايران؛ , شاه حسيني علي shahhoseini@qiau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي، واحد قزوين، دانشكده برق و مهندسي پزشكي، قزوين، ايران؛
كليدواژه :
تكنيك Sleep , منطق سه ارزشي , نانولوله كربني , SRAM , Ternary
عنوان كنفرانس :
بيست و ششمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله، يك تكنيك مداري براي كاهش توان نشتي سلول حافظه SRAM سه ارزشي مبتني بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو لوله كربني پيشنهاد كرده ايم. مدار پيشنهادي را با سلول حافظه سه ارزشي متداول مقايسه كرده ايم. براي مقايسه تاخير، توان، حاصلضرب توان در تاخير مدار پيشنهادي و سلول حافظه سه ارزشي متداول، از نرم افزار شبيه ساز HSPICE بهره برده ايم. نتايج حاصل از شبيه سازي نشان مي دهد كه سلول پيشنهادي داراي تاخير و توان كمتر در عمليات خواندن و نوشتن است. نتايج شبيه سازي همچنين حاكي از آن است كه توان نشتي سلول پيشنهادي در وضعيت آماده بكار كمتر از سلول متداول است.
