آناليز تاثير اعمال پيوند تونلي باند به باند غير محلي در بهبود عملكرد سلول پيوند دوگانه InGaP/GaAs

Analysis of Effect of Tunnel Junction band-to-band non-local in Improving the Function of Dual Junction InGaP/GaAs Cell

امروزه سلول هاي خورشيدي چندپيوندي با راندمان بالا نسبت به سلول هاي تك لايه بسيار مورد توجه مي باشند. از آن جا كه يكي از مهمترين مشكلات استفاده از اين سلول ها ايجاد پيوندهاي پارازيتي مي باشد و با توجه به اين كه يكي از بهترين راه حل ها جهت حل اين معضل استفاده از فرآيند تونل زني است، بنابراين سعي خواهد شد با استفاده از انتخاب مواد مناسب و ايجاد يك لايه پيوند تونلي، كارايي سلول بهينه گردد. در اين مقاله به بررسي ساختار سلول دو پيوندي InGaP/GaAs پرداخته خواهد شد، ضمن اين كه تلاش مي شود با افزودن يك پيوند تونلي InGaP/InGaP راندمان سلول حداكثر شود. از آنجا كه بهترين راه براي كسب نتيجه از عملكرد يك سلول پيش از ساخت آن، شبيه سازي مي باشد، توسط شبيه ساز ATLAS از نرم افزار Silvaco T-cad به مدل سازي ساختار سلول فوق پرداخته و اثر فرآيند تونل زني باند به باند غير محلي روي سلول بررسي شده و نهايتا نتايج حاصل از آن ارائه مي گردد.

Today, high efficiency solar cells are highly regarded as single layer cells. Since, one of the most important drawbacks is the use of these cells to create parasitic junction and considering that one of the best solutions to solve this problem is the use of the tunneling process, therefore, it will try to optimize cell efficiency by selecting appropriate materials and creating a tunnel junction layer. This paper examines the structure of dual junction solar cells, while attempting to, maximize cell efficiency by adding a InGaP/InGaP tunnel junction. Because, it is the best way to get a result from the cell function, compared to the practical method, is to simulate, by the ATLAS simulator from the SILVACO software, to model the cell structure above and the effect of non-local band-to-band tunneling process on the cell is studied and, finally the result are presented.