شماره ركورد كنفرانس :
4625
عنوان مقاله :
تاثير فشار گاز محفظه واكنش بر ساختار لايه‌هاي نازك سيليكون كاربايد تهيه شده به روش رسوب بخار شيميايي با سيم داغ
عنوان به زبان ديگر :
Influence of reaction chamber gas pressure on structural properties of SiC thin films prepared by HWCVD technique
پديدآورندگان :
فخرالدين مهرنوش m.fakhredin@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛ , شريعتمدار طهراني فاطمه f_tehrani@semnan.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛ , جعفر تفرشي مجيد mj.tafreshi@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
نانو ساختار سيليكون , سيليكون كاربايد , HWCVD , Reaction Chamber Partial pressure
سال انتشار :
1397
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس ملي رشد بلور ايران
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
ساختار بلوري نيمرساناي سيليكون كاربايد در كاربردهاي مختلف اهميت ويژه اي دارد. با تغيير يكي از پارامترهاي لايه نشاني در روش رسوب بخار شيميايي با سيم داغ، با افزايش فشار محفظه گازهاي واكنش ساختار بلورين لايه هاي نازك سيليكون كاربايد دستخوش تغييراتي ميشود كه با تغييراتي در ضريب شكست و گاف انرژي همراه است. روند اين تغييرات همگام با تغييرات ساختاري ايجاد شده در لايه هاي نازك سيليكون كاربايد قابل توجيه است.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت