شماره ركورد كنفرانس :
4625
عنوان مقاله :
مطالعه ابتدا به ساكن خواص ساختار الكترونيكي تك لايه MoS2 آلاييده شده با طلا
عنوان به زبان ديگر :
First Principle Study of Electronic structure Properties of Au Doped MoS2 Monolayer
پديدآورندگان :
پورموسي شكوفه Shokoofehprm@gmail.com دانشگاه بين المللي امام خميني (ره)، قزوين؛ , احمدي سلطانسرايي سميه som.ahm@gmail.com دانشگاه بين المللي امام خميني (ره)، قزوين؛ , سپاهي ملا عبدالسلام salamghgh20@yahoo.com دانشگاه فردوسي، مشهد؛ , رحمتي حميده Rahmatibijar@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي، همدان؛
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس ملي رشد بلور ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله خواص الكترونيكي تك لايه MoS2 با استفاده از تقريب PBE-GGA و بر پايه نظريه تابعي چگالي DFT با استفاده از بسته نرم افزاري كوانتوم اسپرسو بررسي شده است. براي اين منظور ابتدا تك لايه اي از MoS2 به شكل هگزاگونال را در نظر گرفته و ساختار الكترونيكي بدون آلايش آن مورد مطالعه قرار مي دهيم. همچنين اثر اتم ناخالصي Au بر خواص الكترونيكي تك لايه MoS2 مورد مطالعه قرار مي گيرد. محاسبات ما نشان مي دهد كه در حضور اتم ناخالصي گاف انرژي كاهش يافته و رفتار فلزي مشاهده مي شود. از سوي ديگر حضور ناخالصي منجر به بروز خواص مغناطيسي براي تك لايه MoS2 مي شود. مغناطش كل محاسبه شده در اين حالت برابر با 〖 μ〗_B 2 است. بنابراين Au گزينه مناسبي براي كاهش گاف نواري و بهبود خواص مغناطيسي براي تك لايه MoS2 ميباشد
